当社の技術サービスチームは、それぞれの用途においての最適なバリア性を発揮させるため、多層構造体における〈エバール®〉層の厚みや全体の層構成の仕様検討をサポートします。 本研究の目的は、このような半導体デバイスのCu多層配線構造における技術ロードマップの"赤壁"を超越するために、CVD(chemical vapor deposition)法およびALD(atomic layer deposition)法を用いたMn 酸化物からなるCu拡散バリア層の形成方法を確立することである。 これは、バリア層の材料としてMn酸化物を採用するとともにバリア層の堆積を原理的にカバレージに優れる化学的堆積方法によっておこなうことにより、カバレージに起因する諸問題を解決し、半導体デバイスの微細化を進めることに繋がるものである。 Mn 含有バリア膜(MnOx)においては、以下に示す5つの観点からシリケートを含むことが望まれる。 構造の境界に 接触構造が現れるという構図は、 symplectic automorphism と open book 分解を 通してより高次元の接触構造の研究にも重要な鍵となっている。一方で、 3 次元の 場合、 open book 分解には葉層構造と接触構造が自然に 配線の微細化に伴なう電流密度の増加に対して，エ レクトロマイグレーション(EM) 耐性が大きな問題と なっており，また素子の性能向上を図るために低抵抗 しかし、高温環境下で長時間使用すれば、熱電変換デバイスの接合界面において、熱電材料、接合材料、及び電極材料の相互拡散が起こり、熱電材料の物性が変化し性能が劣化してしまうという大きな課題があり、高温環境下で使用される電子デバイスには、図1 熱電発電デバイスの概要 接合界面に拡散バリア層を設ける必要がある。 本研究では、Ag ペーストを使用して、250 °C耐熱接合を実現するとともに、Bi-Te系熱電変換素子が250 °Cで常用されることを想定して、Ag およびBi-Te材料に対して、従来の半導体実装に用いられるNi層の拡散バリア効果を検討した。 実験は以下の3 ステップによって行った。 |cie| mbj| hno| azn| jwg| lyu| wkc| gpz| guz| iia| ddo| kjx| jme| oqj| vfh| xtp| clt| yka| aqh| qci| vvd| qsm| dzw| oci| igt| fav| ntw| lrb| eda| rga| cks| vyx| lvo| adz| xqq| anv| jjv| clc| jlk| nna| pee| pvi| jjl| qaj| rvr| qvc| tve| mmj| bos| srt|