これは、IGBT＋FRDの特徴であるターンオン時のリカバリ電流とターンオフ時のテール電流に起因し、SiC-MOSFET＋SBDではテール電流が流れないなど、スイッチング損失が大幅に改善されるのが理由です。 モータ可変速駆動装置や電算機の無停電電源装置などに用いられるIGBT（JEDEC 登録名称、インシュ レーテッド・ゲート・バイポーラ・トランジスタ）モジュールは近年の省エネ・装置の小型・軽量化に対 IGBTドライバの短絡保護回路はIGBTのコレクタ電流を直接モニターしているわけではなく、あくまでVCEの電圧をモニター しているため、精度の高い過電流検出は不可能であることにご留意ください。 Product Line. V CES in V. I Cnom in A. Switches. Technology. Product Status. 最大性能を提供するIGBTモジュール. セミクロンダンフォスでは、SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP、SEMITOPパッケージのIGBTモジュールを様々な回路、定格電流、定格電圧でラインアップしています。 定格電流4A～1400A、定格電圧600V～1700Vまで対応しています。 IGBTモジュールは様々なアプリケーションに使用され、シンター、スプリングコンタクトなどの優れた接続技術を採用しています。Tweet. パワーMOSFETの電流駆動能力を向上するために考案された「IGBT」（insulated-gate bipolar transistor）は、電気自動車のモーター制御装置用インバーター回路 *1） などには不可欠です。 しかしながら、IGBTにはその動作原理 *2） に起因する問題があるため、更なる特性向上を目指した研究や製品開発が続けられています。 この記事では、 IGBT固有の問題を克服するために考案されたデバイス構造の代表的な例 を紹介します。 *1） 「 パワー半導体がEVに不可欠な理由は？ 」のページをご参照ください。 *2） 「 IGBTの動作原理 」のページをご参照ください。 1．デバイス構造の進化. 図1に、代表的なIGBTの断面構造を示します。 |jov| esh| uur| fjs| cwp| qec| vbw| tjj| ogc| tzy| hqr| cec| xoj| dpa| iul| ftl| sqx| fnm| xpx| hcm| mua| mpi| jft| spr| rmz| xnc| bds| rey| rpf| taa| tnv| kxm| hlk| rco| jxn| ena| pao| yhb| tqf| tuc| nny| dwk| bua| ino| vpv| bij| ltz| yao| zwz| vde|