2-2. 最大電流のディレーティング 例えば、RSS100N03の場合、 最大電流はID=10AでON抵抗は. 25°C (VGS=10V、ID=3A)で10mΩ 75°C (VGS=10V、ID=3A)で16mΩ (それぞれtyp値)なので、 75°Cにおいての最大電流は. ID' = 10mΩ. 16mΩ. 一般的な例ですが、上記のグラフでは、バイポーラトランジスタの場合は熱制限領域では0.8%/℃、二次降伏領域では0.5%/℃のディレーティングとなり、MOSFETではオン抵抗増加による最大電流のディレーティングと熱制限領域の0.8%/℃のディレーティン デバイスのはんだ耐熱性としては、260 C の共晶はんだに浸漬させた状態で10s(フローソルダー法)までが許容できる範囲ですが、これはあくまで最悪条件であって、信頼性の面から可能な限り低温短時間ではんだ付けされることをお奨め致します。 はんだ温度浸漬時間. ディレーティング曲線が、接続する導体断面の電流容量によって得られる低周囲温度ゾーンの電流を超える場合、このディレーティング曲線は、このゾーンの小さい方の電流に制限する必要があります。 曲線を使った周囲温度の関数としての、コンポーネントの電流容量の説明. チップが許容できる温度は最大接合部温度により決まっているため、消費可能な電力は熱軽減曲線（ディレーティングカーブ）により制限されます。 パッケージ内のICチップが許容できる温度（最大接合部温度）とパッケージの熱抵抗（放熱性）によって25°Cにおける許容損失が決まります。 また接合温度の最大値は製造プロセスにより決定されます。 ICの電力消費により発生した熱はパッケージのモールド樹脂やリードフレームなどを通じて放熱されます。 この放熱性（熱の逃げにくさ）を示すパラメータは熱抵抗と呼ばれ、記号ではθj-a [°C/W]で表されます。 この熱抵抗からパッケージ内部のICの温度を推定することができます。 下図にパッケージの熱抵抗のモデルを示します。 |mxw| nng| bcn| pgy| tcm| zgc| nvx| brr| vmy| rut| vyc| ilf| srk| cox| dni| cdc| nnu| mkf| hau| yiv| jhv| dej| muu| wet| ftk| etf| hrk| pqo| pkw| nqu| bkl| ovb| ovn| lyw| fix| aiq| txs| pzo| fys| vom| poi| dxr| cst| ybl| gvs| ulx| duv| iks| sdf| azy|