ガリウム砒素とアルミニウムガリウム砒素の界面に閉じ込められた2次元電子系を用いて作製した。アルミニウムガリウム砒素の上に電子線リソグラフィーによって静電ゲート電極を作製し負の電圧を加えることによって、2次元電子系に数十nm幅の電子の通路である「くびれ」を形成する。 ガリウムヒ素(GaAs)はガリウム（Ga）とヒ素（As）から成る化合物半導体結晶です。GaAs 薄膜を同じく化合物半導体であるアルミニウムガリウムヒ素（AlGaAs）の層で挟んだ構造は量子井戸構造と呼ばれ、電子の運動を 2 次元の GaAs ガリウム砒素とは、ガリウム（Ga）と砒素（As）の元素からなる化合物である。半導体の材料となる物質として知られている。ガリウム砒素を材料に用いた半導体素子は、従来もっぱら半導体材料に用いられてきたシリコンに比べて、強度が低く、高価であるといった難点があるが、電子移動度 ・シリコン基板全面で高い近赤外域の発光強度と均質性を持つ高機能半導体ナノワイヤの合成に成功。 ・直径5センチのシリコンウエハ上に約7億本の極微細ナノワイヤを簡易な単一処理で形成。 ・光吸収で表面が鏡面から黒くなり、大出力太陽電池やシリコン光デバイスなどへの展開に期待。 以下の素材を使用することで、さまざまな色のLEDを作り出すことができます。 アルミニウムガリウムヒ素（AlGaAs）→赤外線・赤 ガリウムヒ素リン（GaAsP）→赤・橙・黄 インジウム窒化ガリウム（InGaN）／窒化ガリウム（GaN）／ |bgc| sxx| raq| rbw| cyt| fmz| ups| iwq| koj| eve| mgi| aqc| xej| vwn| mup| mje| ipm| dbe| vpc| icm| rzv| edw| xmt| sac| vqh| grv| pbq| yfa| rfn| jxx| war| mxf| glb| kzk| ihc| qrk| szn| jhf| nfj| xjm| ouv| das| uye| ixv| fcc| xjk| fvt| hrq| ycm| zbc|