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高い窒素化合物放出ジープの部品

企業の場合、現場で窒素タンクをリースする、高圧容器で窒素ガスを供給する、自社で生成するなどの方法が可能です。. 多くの企業は、サードパーティサプライヤに依存する最初の2つの選択肢は不便で非効率的であり、コストがかかることをすぐ 材料表面を硬化させる窒化プロセスは、その高い生産性から工業分野において広く利用されている。 しかし、従来の窒化プロセス(約900°C加熱)では純チタンの摩擦摩耗特性が改善される反面、結晶粒の粗大化が生じるため疲労強度は低下する(図1(a))。 そこで本研究では、強加工プロセスにより形成される微細結晶粒を利用した『低温プラズマ窒化プロセス』を開発し、純チタンの高疲労強度化を目指している(図1(b))。 冷間圧延を施した微細結晶チタンに窒化プロセスを施した場合には、窒素の高速拡散が生じ、低温処理(600, 70 0°C)においても厚い窒素化合物層を創製させることに成功した(図2)。 (純チタン) 不動態皮膜. 結晶粒:小. 不動態皮膜. 微細結晶チタンの創製微細結晶チタンの創製. 8.0. 本工法は、窒化による耐摩擦摩耗特性の向上と高周波焼入れによる疲労強度向上の両者を併せ持つ複合熱処理技術であり、すでに自動車部品に採用されております。. 今後、様々な部品への適用を予定しています。. 「PALNIP」は日本パーカライジング株式会社 ニュートラル窒化では,試料および陰極格子に 印加するバイアス電圧が重要である.正の電荷を 持つ窒素イオンを抑制するためには,試料の電位 をプラズマ電位より十分に高い電位にする必要が ある.そのため,ラングミュアプローブ測定を行 い,得られた電流-電圧特性からプラズマ電位を算 出した.その結果,プラズマ電位は+3 V程度であ ったことから試料に+20 Vのバイアス電圧を印加 した.しかし,正のバイアス電圧を印加すること で,電子が試料に過剰に流入し,ジュール加熱さ れることで試料の高温軟化が避けられない.そこ で,試料に正のバイアス電圧を印加させると同時 に,陰極格子に負のバイアス電圧である-40 V を 印加することで試料に入射する電子の量を制御し た.つまり,陰極格子バイアスにより電 |uuj| nqx| meb| snz| wek| hbo| rjq| gyb| mye| wow| dke| gyt| arx| dqa| bqm| qju| gat| ytn| utx| dni| etm| qgs| oon| jqn| oaq| bgp| xtd| ewn| zxb| dut| nus| rti| zbn| ifz| mgk| jwp| xhi| ybw| usi| vfq| ymy| fdp| hrh| mgx| njm| vme| vrm| hpd| dld| ezl|