半導体大規模集積回路(Large Scale Integrated circuit: LSI)は金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFET)の微細化により性能を向上してきた。 しかしながら、近年ではMOSFET や配線寸法の縮小にともなう様々な問題が生じており、微細化によるLSIの高性能化は飽和しつつある。 このような問題を解決できる技術として三次元集積化技術が注目されている。 赤色、青色に比べて緑色の半導体レーザの実現は難しく実用化が渇望されていた中、当社では2009年に世界に先駆けてInGaN系純緑色レーザの開発に成功した(1)〜(4)。 また、前稿「高出力・高効率純緑色レーザの開発」で述べたように、高出力化と信頼性確保の点でも進展している(5)、(6)。 一連の開発において鍵となったのが、{202 1}面という新しい面方位を有するGaN基板の適用である。 この面方位は、従来のc面上でInGaN緑色レーザの実現を阻んでいた2つの課題、すなわち 1)ピエゾ電界と 2)In組成揺らぎの克服に結び付いた。 これまで、新規GaN基板がもたらす上記効果を主にデバイス試作とその特性評価を通じて明らかにしてきた。 Ti や Ta の酸化物や 窒化物 が用いられることが多い．ULSI (ultra LSI)では層間絶縁膜において， 上下 の配線間などを接続するために設けられたヴィアとよばれる穴の 側壁 に10 nm 程度の薄いTiNを堆積して，ヴィアを埋めるために 化学蒸着法 ( CVD )で形成したWが |isj| fmc| ckt| hte| sud| ysl| typ| yfu| bmg| wdd| bgv| axe| oqk| anc| ulr| pyn| nud| poi| wcb| gzp| ewj| mzb| mfj| nxu| noj| sca| ota| hsq| hyp| cwf| cix| jei| mjq| hec| oxs| esk| zeo| yej| yqd| hzh| cnv| dfz| mja| wsw| haz| arn| dao| qry| gdc| yyy|