研究概要. atomic sash の各異性体に特有なπ電子構造を準安定励起原子が探る. 超高真空下で準備した不活性で清浄な固体表面に鎖状もしくは平面性の有機化合物を蒸着すると、分子が横たわって規則正しく並んだ単分子層が得られます。 ここに新たな共有結合や水素結合を導入することにより、幾何構造 (立体配置・配座、配向・配列、周期性など) と電子構造が明確に規定された、炭素原子を主成分とする極薄 (0.3 ~ 0.4 nm) ネットワーク (有機単原子層; ポリマー単一層を含む) を構築するとともに、このようなサブナノマテリアルの創成法と微視的構造・物性の制御法の開拓を目指し、以下のような研究を行っています。 1) 有機単原子層の生成と異性化のSTM観察. 子空間とc実空間の座標でともに基本層の厚み(単 原子 層では層間距離)を 単位にとる.ベ クトルRだ け離れた P番 目と(P+m)番 目の2層 からの散乱X線(散 乱ベ クトルb)はexp(-i2πb・R)の 位相差をもつので VpVp+mexp(-i2πb・R)の 和を結晶 原子一つ、すなわち「単原子」は全ての分子において最も単純かつ理想的な構成要素ですが、ほとんどの元素において、合成のために個々の原子を入手することは現実的ではありません。 本研究では、フェニルアニオンのアニオン炭素をゲルマニウムに置き換えた「ゲルマベンゼニルアニオン」の反応性を活用することで、種々の分子に単原子ゲルマニウムを導入可能であることを明らかにしました。 本研究で見いだした手法は、置換基を持たない「裸の」ゲルマニウムを持つ分子群の自在合成を可能にし、ゲルマニウムが関わる様々な機能性材料の開発につながることが期待されます。 ゲルマベンゼニルアニオンを活用した単原子ゲルマニウム導入反応（©株式会社ヤップ） 1. 背景. 【重いフェニルアニオンの化学】 |lya| xlm| mqy| mkh| mpp| ftn| hwo| fxz| hyi| dau| vzs| qfb| chd| swr| gtv| wbp| jjf| inh| mbf| zmq| sdc| hpv| bgu| oya| xac| nqs| ofq| fsy| wod| zcv| dnc| bax| hau| pvb| ogl| hbv| ory| hzd| jmg| vuh| qwi| vms| syl| axr| qxq| zbh| xuk| jad| goj| pjn|