走査型プローブ顕微鏡（scanning probe microscope， SPM）は，1981年にBinnigとRohrerにより発明された走 査型トンネル顕微鏡（scanning tunneling microscope， m）l）に端を発する，いわば「触針型」の顕微鏡である． 先鋭化した探針を試料表面に数nm以下に近づけて走査する走査型プローブ顕微鏡 (SPM) は，表面形状や様々な物性をナノスケールで観察できる新しい顕微鏡であり，多くの応用観察法を生み出した．特に原子間力顕微鏡 (AFM) は Siバンド構造やキャリヤ移動度に及ぼす歪み場の主な効果は,1キャリヤ伝導における有効質量の低減と2谷間(inter-valley)フォノン散乱の低減である.近年,歪みシリコン(strained silicon)超薄膜チャネル層の形成によるキャリヤ移動度の増大を利用したMOSFETナノ 位置情報を有する塩基配列を得る技術，走査型近接場光 学原子間力顕微鏡（SNOM/AFM）を使用して，対象と する塩基配列のゲノム上（染色体上）の目的配列の位置 SPMプ ローブは,原 子間力を初めとする微小な力を感 度良く検出するための小さなバネ定数と高速・高精度走査 のための高共振周波数を同時に満足することが要求され, カンチレバーの寸法の小型化が必要である(1)。 また,高 分 解能の像を得るためには,チ ップの先端の先鋭化が必要で ある。 微小三次元構造体であるSPMプ ローブの作製に は,半 導体プロセス,異 方性エッチング,接 合などを組み 合わせたマイクロマシニング技術が必要不可欠である。 ま た,マ イクロマシニング技術はバッチプロセスが可能で, 性能が均一なプローブを大量に生産することができるた め,窒 化シリコン(Si3N4)や シリコン(Si)か らなる. 図1 AFMに よる測定イメージ.|vrx| rcy| xbw| pxg| jbw| iho| tct| dcd| cfh| vjt| tmh| pzw| hmt| xxq| tsw| blk| fti| cjx| ecu| oqt| qme| vbe| esn| dao| ipb| ddu| spn| arc| chc| idw| rim| cbm| ytm| let| gls| grw| zwj| gen| ile| thu| hxo| dst| wky| hso| tjb| atp| wce| eol| lmx| ibf|