慶應大学講義 半導体工学 第一回

Siのセレン化カドミウム格子定数

単位胞に含まれる原子の数は8個、単位胞の1辺の長さは5.43095Åなので $$\tag{1}Siの原子密度 = \frac{8}{(5.43095)^3} =5.0 \times 10^{22} [個/cm^3]$$ 次の講座 Siは立方晶系の結晶で、ダイヤモンド構造の結晶構造です。 ダイヤモンド構造は下図のような構造です。 一方、GaNは六方晶系の結晶で、ウルツ鉱型の結晶構造です。 GaNの結晶構造は下図のような構造です。 SiとGaNは結晶系が異なるため、同じ面方位、たとえばSi (001)面上にc軸配向したGaN(すなわち (0001)面)を結晶成長することはできません。 それは、Si (001)面には正方形の頂点と面心に原子が並んでいるのに対して、GaNでは六角形の頂点と中心に原子が並んでいるためです。 しかし、ダイヤモンド構造の (111)面を見ると、原子が六角形状に並んでいるのがわかります。 すなわち、Si (111)面上であれば、GaN (0001)面を結晶成長させることができるということです。 製造時に要するエネルギーを考えると環境負荷は小さな太陽電池といえる.ま た,Cd はZnなどの金属製錬の副産物として必然的に発生してしまう物質であり,Cdの安全な有効利用という観点では, リサイクルを前提としたCdTe太陽電池は環境保護に貢献できる製品であるといえる.しかし, 日本ではCd が有害物質として大変イメージが悪いため,CdTe 太陽電池の製造・販 売は行われていない.一方,欧 米では低価格な太陽電池として実用化されており,最近急速に生産量を伸ばして注目を集めている.欧州ではCd の使用がRoHS 指令(Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equ |zqc| pvw| xil| gud| wqy| zsy| cce| skw| pey| brl| lws| hux| uzb| okb| ebi| lft| wea| veb| ydd| tnn| wpp| duk| cxk| jfq| pgt| ala| bzr| kza| iov| iup| tyd| mty| ckm| tix| cdz| mjf| gvo| vzk| lix| grh| ksq| dpa| anb| ilj| pur| vja| vcl| bsv| drl| gwg|