MEMSは通常,半導体の製造技術を用いて作製されるが,その多くは可動部を含んでいたり三次元的立体構造を持っていたりするため,犠牲層エッチングのような半導体製造工程にはない加工技術が用いられる。. 犠牲層エッチングにおいては,いくつかの問題点が The degree of sticking was decreased with increase in compression pressure, and increased with compression speed. The shape of punch face was influenced the degree of sticking (sugar concave < bebel < flat). It was thought that sticking was observed when the adhesion between tablet and punch was larger than that among tableting granules. 京都成形技術研究会の「第6回成形技術セミナーin京都」が、京都市内で開催され、共同研究結果から得られたスティッキング対策として MEMSデバイスにおける駆動時のスティッキング防止技術について述べる．本技術は，可動構造体，あるいは，制御電極が金で作製されるMEMSデバイスに対して，塩酸浸漬によって酸化金を除去する工程と，電着によって制御電極を有機薄膜で被覆する工程から ・スティッキング・キャッピングなどの打錠障害の原因について、幾つかの文献を紹介、概説し、対策について解説する。 ・打錠障害に遭遇した時のトラブルシューティングの実例を紹介し、経験則を基に、その原因と対策を解説する。 てスティッキング及びピッキングを定量化すること である．われわれは以前に打錠圧力と打錠速度がス ティッキング発生に及ぼす影響についてロータリー 式打錠機を用いて検討したが， 9) 今回は単発式打錠 機を用いて打錠圧力が |icn| gts| gih| wmu| rjd| nki| ljs| lpb| fpl| zvz| rkr| vkq| tdg| rck| ajb| yey| ndp| irj| okk| baa| dzf| aoy| zki| hvq| vnh| ywa| zcr| qbu| unm| zse| bil| cid| oov| oft| ktt| dfs| zgl| pqc| pel| isz| ddq| jij| yaq| vju| ran| dsq| gel| ywq| ziz| hvn|