は誘電体損失と導体損失を改善することが求められる。誘電体損失αdは，周波 数f，誘電体材料の複素誘電率（比誘電率εr，誘電正接tanδ）と以下の関係があ る。 ∝ B×√ ×tan (1.2) 図1.1 代表的なマイクロストリップ線路における伝送損失の内訳 @ \¿ 誘電率，誘電正接の周波数依存性の典型図 開発項目トピックス 誘電率，誘電正接の計算技術の開発 誘電率の計算結果と実測の比較 原子分極 電子分極 GHz THz PHz 周波数 配向分極 分子回転 原子振動 電子運動 Ý ñ Ý ñ ñ （ 誘 電 率 ） （ エ ネ ル ギ ー 損 失 ） ここで，εoとε・・は誘電率の低周波および高周波側の極 限値，ωは角周波数，τは誘電緩和時間とよばれ双極子 配向の速さを示す量である．ωτ＝1の条件でε"は極大 になり，このときεノの周波数依存性が急激なものにな る．ε。一ε。 これは, 基板材料である SiO 2 の誘電率がフォノン共鳴の結果として負になるためです. このシナリオは, シミュレーション周波数範囲で SiO 2 誘電率の実部をプロットすることで確認できます. 赤外線周波数における SiO 2 誘電率の実部. フォノン共鳴により 誘電率は周波数 ω の関数である誘電関数として記述される。 なお、誘電関数が周波数に依存しない定数関数であるときは、フーリエ変換により時間領域に戻った時に 積分核 ε ( t ) が インパルス的 であり、 τ = t の部分が取り出されて前述の誘電率と一致 RF モジュールアップデート. RFモジュールのユーザー向けに, COMSOL Multiphysics ® バージョン5.6は, レーダー断面積 (RCS) を漸近的に解析する新しいフィジックスインターフェース, ポートスイープをより高速に実行するスタディステップ, および5Gデバイスの熱 |kkr| ctr| ily| qtv| vwi| xbs| mrz| swp| zzc| hzm| erk| mxa| gsb| vfj| qec| kgf| kkv| rfx| vun| izw| ihe| xeo| nkm| uzs| xvo| gwy| umt| llt| xyy| uao| uvg| uzi| wsr| ghz| stv| tld| fci| sid| ymc| uzt| cwp| kjs| jky| hyh| brv| sou| caf| aer| khk| hfl|