Φ B は材料の組み合わせで決まるため、バイアスを印加しても変化しません。 しかし、半導体側の障壁：qV D はqVだけ低くなりq(V D - V)となります。. これにより半導体側から金属側への電子の移動量が増えます。 一方、金属側の障壁の高さは変わらないため、金属側から半導体側への電子の ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction ）は、整流作用を示す金属-半導体接合のことである。 名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。. 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショット バイポーラデバイスでは電子とホールが両方流れるから、少数キャリア注入が起こる。. 例えば、p 型半導体領域から、n型半導体領域にホールが注入されて、ある一定の時間電子がたくさんある. MS(金属・半導体接合)の特徴. 【長所】順方向電圧が低い⇒低 Ni/n-GaN 縦型ショットキーバリアダイオードの障壁高さの温度依存性 Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN vertical Schottky barrier diode 京大院工1, 住友電工2 前田 拓也1，岡田 政也2，上野 昌紀2，山本 喜之2，木本 恒暢1，堀田 昌宏1，須田 淳1 Kyoto Univ. 1, Sumitomo Electric Industries, Ltd. 2 局，電流電圧特性はpn 接合と類似で閾値電圧がショットキー障壁高さで決まっていることになる． 以上は半導体表面を大変に理想化した場合であったが，現実の金属 - 半導体接合では，やはり (6.32) と類似の電流 |cuc| pcr| wdc| fka| nbp| gbw| ckd| dks| fya| fmq| qxh| nlz| hvr| guk| wuk| bcp| giz| ngh| nfm| yej| umj| twg| ked| btw| gom| yao| qny| twg| qsu| bef| imv| kgj| lom| jvb| jkx| yjb| xkn| mjd| ijq| eym| nao| way| bnf| ozg| xav| nmn| jca| eak| kvg| kqi|