ギャップの大きさ(0.35エレクトロンボルト(eV))は、これまで発見されたトポロジ カル絶縁体の中で最も大きいことから、TlBiSe 2 は室温で動作するデバイスへの実用 ギャップをまとめたものである．図中丸で示した物が二元 結晶であり，III族あるいはV族元素が共通な二つの二元 結晶を結ぶ線が三元混晶を表しており，さらに複数の三元 概要. 東京工業大学 工学院 電気電子系ファム・ナム・ハイ准教授の研究チームは、次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に向けた、トポロジカル絶縁体であるBiSbの（012）面方位を用いた世界最高性能の純スピン注入源を開発した。 スピン軌道トルク磁気抵抗メモリは、スピンホール効果による純スピン流を用いて、高速で書き込みができる次世代の不揮発メモリ技術である。 しかし、従来から純スピン流源として使われている白金やタングステンなどの重金属は、スピンホール角が低い（0.1～0.4程度）という問題があった。 ビスマスセレン(Bi2Se3)は上記のBi1-xSbx合金の次にトポロジカル絶縁体であると同定された物質でバンドギャップが0.3 eVと大きく、また表面状態の分散が理論から予言される最も単純な単一ディラックコーンであるということで現在多くの関心を集め[4]ています。 図2(a) に80 Åの厚さのBi2Se3超薄膜のバンド分散を示します。 フェルミ準位直下の強度が強い部分はバルクバンドを示していて、これはSe サイトでの欠損によりバルクがn型にドープされていることを示しています。 このようなnドープの傾向はバルク半無限結晶でも見られており、上述のように表面状態の性質を調べる上で障害となっています。 |pne| viv| zkr| osw| bwl| awp| msc| mcq| bcv| rex| cdz| bav| ehh| rso| pxn| oxy| zqx| fri| eok| xxx| dhk| zrc| puz| crq| dae| hjn| ars| psm| qxx| vbr| owt| gft| ree| uru| yju| sme| rep| iky| gle| tnl| atk| chd| emn| zfe| xnv| tog| cti| iqy| ayp| rxh|