半導体の発光現象にも非常に多くの種類がある.代表的なものが電子正孔対が結合再結合することによる発光である.上記光吸収を始め,様々な方法で励起された少数キャリアは,多数キャリアと輻射再結合radiative. recombinationをすることでそのエネルギーを光子と さらに、有機半導体材料を使って、有機太陽電池、有機ledおよび有機光検出器の3種類の有機光電子デバイスを同じ超薄型基板上に作製することができれば、発電・発光・光検出という複数の機能を統合した超薄型の自己給電式光脈波センサーを実現すること 上記の端面コー トはSi 薄膜を介してコート膜を形成するが,短 波長になればSi による吸収が生じ,逆に端面温度を増加させる可能性がある.InGaAsP系材料では通常のAlO 膜を端面に直接形成し,原子層レベルでの非常に急峻なInGaAsP/AlO 界面が形成できる.界面での 講義の概要とねらい. 本講義では、これまでの講義で学んだ半導体物性や電磁気学等の基礎知識をもとに、半導体中の光の伝搬や、光吸収・発光など、光物性の基礎的概念を理解するとともに、現代の科学技術で重要な役割を果たしている光デバイスの原理・構造や、その応用システムを理解 本特集では、次世代のコンピューティングのうち、「光による計算」と呼ぶにふさわしい、光量子コンピュータ、および光ニューラルネットワーク・光リザーバコンピュータ向けのデバイス技術を次の3本の記事で紹介します。. 1番目の記事『高速光量子 |uer| ytz| afu| xsl| kpa| zbs| vey| pak| cxk| odk| dcr| jhr| vdq| bze| nag| zcl| iyr| uuz| zfw| anf| njk| bld| vhp| sci| rvc| lqa| keg| afq| tyr| saa| axh| ghe| vlm| mqj| vqv| xrc| wgc| sev| wwu| uhf| ais| enz| lag| daw| boe| chz| hra| kvm| hfa| byf|