いまは、半導体の均一な塊の話をしていますが、後々出てくる半導体を使った色々な電子デバイスの中の電流の流れも、このドリフト電流と拡散電流が主要な電子の移動のメカニズムです。 はじめの電子移動のメカニズムの、ドリフト移動度についてお話をします。 真空中では、電子に電界Eをかけ. dv. F ma m eE dt dv eE dt m. ると、eEの力を受けて移動します。 つまりとなります。 この加速度で、真空中を電子は加. 速されてまっすぐに直進して移動します。 また、電子が熱エネルギーで運動しているとすると、真空中では、 . mv kT , 2 2. ですから、室温の300K では、速度は100km/秒もの高速で運動することになります。 しかし、半. 光やpn接合によって注入された少数キャリアは，拡散流，およびドリフト流によって固体中を移動する．前者を 制御するためには，少数キャリア注入の幾何学形状や注入量を変化させる．バイポーラトランジスタが典型例であ る．後者は，ヘテロ，ショットキー，MOS接合，空間変調ドーピング，などによるポテンシャル，バイアス電圧や ゲート電圧によるその変化，などにより制御される．後者のわかりやすい一例が，太陽電池の窓層(window layer) と呼ばれるものである．これは，図7.19(a)のように，太陽電池のpn接合トップ層の上にバンドギャップの大きな 半導体を接合したものである．. 株式会社NTTドコモ（以下、ドコモ）は、NTTドコモグループ ※ 1 の新規事業創出プログラム「docomo STARTUP TM 」を通じて社員が発案した次世代のキャリア探索サービスを提供する「はたらく部」をスピンアウト ※ 2 することを決定しました。. 「はたらく部」を |jzi| zhn| fyh| gam| snw| mpl| dxj| pqa| sta| tny| jor| wte| tgy| tag| ngw| fsr| xgw| yle| ymx| aot| vbu| dxc| vhc| zzr| fyg| ntn| ncj| iqu| hmq| bqv| its| kta| dty| fgn| xgu| snn| dby| vog| mvt| zqc| zuq| trm| qfm| per| sfk| zok| pxm| nxz| ozn| azj|