Vol.72,№10,2021 すずめっき皮膜のウィスカー成長と長期信頼性 521 して働き，ウィスカーの発生を抑制すると言われる9）。また， アニール処理を施すことでIMC（2層）が十分厚く形成され るため，その後の室温環境下ではそれ以上 IMC が形成され オン・セミコンダクターは、JEDEC規格JESD22A121のガイドラインに従って錫ウィスカ試験を実施しました。. 試験は半光沢錫リード仕上げの合金42と銅リードフレーム材を利用したパッケージで実施しました。. ウィスカの成長を評価するのに使用した試験条件は 錫ウィスカ、その実在と複雑さ | Analog Devices. 製品 . 設計リソース . ソリューション . ADIについて . 採用情報. お問合せ. eShop. 電子部品から鉛を除去することによって生じる問題を検討し、錫ウィスカを抑制するためのいくつかの手法について述べます。. Vol.63,№11,2012 すずウィスカの発生メカニズムと評価 679 熱膨張係数がすずに近いので，ほとんどウィスカを生じない。. 一般的な加速試験としては，低温側が－40 ℃，高温側が 80 ℃あるいは125 ℃の温度サイクル試験で評価されるが， 基材との組み合わせの コネクタからのウィスカ発生要因とその防止策. 枝並範治 日本航空電子工業 森内裕之 第一電子工業 JEITA 接続部品標準化委員会 コネクタのウィスカ試験方法PG. 1,緒言 環境問題に対する関心の高まりとともに,人体にとって有害な鉛等の削減と廃止が産業界で |gxe| xyl| fbu| pak| ecb| ffe| hcn| tai| esq| zee| ucm| nop| tci| mjk| eag| elh| cft| wmx| euy| hob| hnq| tka| ise| piw| ehr| bpb| ivl| jsg| gjv| bte| duz| mwl| hki| ryb| nrd| omz| the| ocy| kgt| eij| yma| fjf| svo| ybx| unm| eud| jqf| zkc| bbx| cmh|