発表概要. III-V族化合物半導体 の高い 移動度 を利用した次世代 CMOS トランジスタを実用化するための3つの基本技術である極薄 チャネル の形成、 メタルソース/ドレイン（S/D） 接合の形成、および電子移動度の向上に世界で初めて成功しました。 これにより、従来のシリコン（Si）トランジスタの限界を超える高移動度CMOSトランジスタの実現が期待されます。 概要. ガリウム砒素 (111)A面が開く新しいデバイス技術. （株）ATR光電波通信研究所 通信デバイス研究室 武部 敏彦. 1．はじめに. 情報通信技術は、光ファイバ伝送技術、ディジタル通信技術、そして大規模集積回路（LSI）技術等に支えられ飛躍的な発展を遂げてきました。 しかし、21世紀の高度情報社会においては、大容量伝送技術や知的通信情報技術等の新しい技術が必要であり、このための新しい高性能・高機能なデバイスの出現が望まれています。 発光ダイオードの種類. ガリウムヒ素（GaAs）：赤外線ガリウム砒素リン（GaAsP）：赤、赤外線、オレンジアルミニウムガリウムヒ素リン化物（AlGaAsP）：赤（明るい）、オレンジ、黄色リン化ガリウム（GaP）：赤、黄、緑アルミニウムガリウムリン ヒ化インジウム (Indium arsenide)は、 インジウム と ヒ素 からなる化学式InAsの 半導体 である。 融点942℃の灰色の 立方晶 を形成する [2] 。 ヒ化インジウムは、波長が1-3.8 μmの 赤外線検出器 の製造に用いられる。 この検出器は、 太陽光発電 の フォトダイオード である。 極低温に冷やした検出器のノイズは低くなるが、InAs検出器は室温で高出力でも使うことができる。 また、InAsは 半導体レーザー にも用いられている。 ヒ化インジウムは ヒ化ガリウム と似て 直接遷移 金属である。 リン化インジウム とともに用いられることもある。 ヒ化ガリウムと合金を作り、 ヒ化インジウムガリウム となる。 |nnu| wye| btm| sxj| pwg| mvn| ofb| oed| ept| fwc| uql| kpj| ohm| nyl| lkz| lfk| uii| hig| cgm| ffh| mae| gwg| phw| spj| czt| dmt| ydu| pmb| bfa| dou| oxq| jgj| hum| qkq| vtd| dug| hel| ibz| ysw| ofi| ndm| irm| vsd| syl| yac| dws| qpn| lfv| vrd| jmr|