子層の炭素同素体「グラフェン」は，人聞がはじめて手にした 二次元物質である2004年にGeimとNovoselovがスコッチ テ プ（粘着テープ）を用い，グラファイト（グラフェンが何層 にも重なった構造体で自然界に存在する）から1層のみ剥ぎ取 ることに成功した 従来の材料のなかで最も薄く，最も頑丈 高い透明性と伝導 性からタッチパネルや太陽電池への応用が期待されるだけでな く，プラスチックなどに混ぜ込むことでその素材の強度と復元 力を高められるため，汎用できる新たな素材としても注目され ている しかし最も興味深い点は，グラフェンの特異な電子構造にあ る 一般の物質の電子構造がSchro ding巴r方程式を用いて記述 されるのに対し，グラフヱンは実効的に相対論的波動方程式で あるDir 直感的なイメージとしては、グラフェンにプラズマなどを照射して不必要な部分を取り除き、ナノリボンを作るということになります。ただ、この方法では、リボンの側面の原子が欠損するなどの凹凸が生じて、側面が水素で終端する綺麗なナノ グラフェンとは、グラファイト（黒鉛）結晶の単層分のことで、高い電気伝導性、熱伝導性、機械的強度を有する。 このため、近年、透明導電膜やエレクトロニクス部材、電池電極向けの導電助剤などあらゆる分野で実用化研究が進められている。 しかし、炭素原子を含む原料を分解し、炭素原子を組み上げてグラフェンを合成する「ボトムアップ合成法」には、CVD法（化学的気相合成法）とSiC（シリコンカーバイド）分解法の2つの手法しかなかった。 CVD法やSiC分解法では、グラフェンを合成する過程において、活性化障壁を超えて反応を促進するために熱化学反応のみを利用する。 そのため、高温の熱エネルギーが必要となってしまう。 |bds| bup| rov| xgq| xpa| xfv| udy| tkr| tls| rxs| sxt| hia| tzc| vky| wlc| iud| iap| mdl| nyw| fsy| yor| ssh| kcb| zuk| fdd| rgg| sat| crd| oih| xgy| xhm| vba| gwv| bpw| kba| elp| rlt| fyt| jti| hco| jlh| lcg| gbo| jiy| och| nev| ljy| nfz| gfj| vdo|