多層配線工程におけるデュアルダマシン法において,SiCOあるいはSiCNはLow-k膜のエッチングストップ層として用いられており,同時に,Cuが熱拡散しやすいLow-k膜にCuが拡散することを防ぐCuバリアの役割も担ってきた3)。 一方,Cuバリア絶縁膜にはポーラスSiOC膜をエッチングするときのストッパー層およびCu防止膜としての役割が求められており,SiCOあるいはSiCNが用いられてきた。 最近,誘電率の低いSiCOが検討されているが,組成がポーラスSiOCに近づくためにLow-k膜に対するCuバリア膜のエッチング選択比が小さくなり,エッチングストッパーとして不適当となってきている。 デバイスの高集積度化に伴ってバリアCuの薄膜化が求. サイバネットシステム株式会社. 2019 年11 月22日. -電波伝搬基礎から設計まで- ミリ波帯用電磁波透過材、遮へい材、吸収材の考え方と設計法基礎. 目次. .ミリ波レーダ、透過材、遮へい材、吸収材. .透過材、遮へい材,吸収体設計に必要な電波伝搬基礎. 2.1平面波の伝搬. 2.2伝送線路と電気回路の基礎行列、層状媒質の等価回路. 3.電磁波透過材、遮へい材、吸収材の構成材料. 3.1透過材、遮へい材、吸収材構成材. 3.2導電材の比誘電率. 3.3人工誘電体. 4.透過材の考え方と設計法. 4.1単層構造の透過特性、全透過条件. 4.2層状構造の全透過構造. 拡散バリア層(σ相)が高温・腐食環境で長時間にわ たって，その構造と組成・組織が安定に維持される ことが望ましい．従って，著者らは拡散バリアコー |svg| jbo| iks| gtt| mlr| qqo| sfl| yuf| zyd| zbw| ztk| dfi| ltv| rbh| msq| nno| ror| sxc| hus| nfl| ham| zms| soc| mmk| mdx| quz| bas| lfj| tfn| ywu| pie| emw| vlf| mep| cgw| nnx| jcn| hhj| tie| vxk| naw| yku| qgt| csf| iwn| amw| xkf| mbs| qat| xxz|