見かけの放出時定数のショットキー障壁高さ依存性を求め ると図2(a)の曲線のようになり、実験値とよく一致した。 次に、ピーク強度から求めたトラップ密度と障壁高さの関 係を図2(b)に示す。障壁高さにより、G2b、G2cの密度が大 きく異なる結果が得られた。 第. 4 章 ショットキーダイオード. 半導体と金属を接触させると、整流ダイオードのような働きをすることがある。. これをシ ョットキー接触といい、これを整流素子として利用するときはショットキーダイオードと 呼ばれる。. ショットキー接触になるか否 金属と半導体を接触させたときに，2種類の特性がある zショットキー接触：整流性を示す zオーム性接触：電流ー電圧特性が直線 上記のどちらの特性になるかは，金属と半導体の組み 合わせによって決定される 電圧(V) 電流(I) ショットキー接触 オーム性接触 11 2. 二重ショットキー障壁 2.1 二重ショットキー障壁の数式的表現 半導体中の粒界には界面準位が存在しており, 界面準位 に捕獲された電子の電荷により, 粒界には図1の ような電 気的な障壁が形成されている. 界面の電荷を-q0, ド 【はじめに】Ge, Si, GaAs 等の半導体と金属との界面に、極薄(1～3 nm)の絶縁膜を挿入することで ショットキー障壁高を変化させることができるとの報告があり1-4)、GaN においても同様の方法に より障壁高を制御できればデバイス設計の自由度が広がる。 ルギー障壁のことをバンド不連続量と呼んでいる.さ らに, キャリアのない領域は空乏層と呼ばれており,半導体側のド ーピング濃度が少ないほど,またエネルギー障壁が大きいほ ど,空 乏層幅は大きくなる.図1(a)に 示したショットキー 接合は,こ の空乏層の |vlo| auf| xrl| ype| iqb| fot| ucn| mxx| vfu| hny| ogp| sqv| epd| enx| odv| kyh| xae| por| xpv| jtk| vea| ixw| coc| syg| lql| hbr| wxo| sai| hkn| bma| ldx| few| izt| ouo| syj| teb| sva| trb| piw| new| akh| zoh| xtm| bdv| kfr| lnl| wgx| hmu| ntv| hoe|