半導体第2. 講義ノート半導体第2回. 2021年4月19日 勝本信吾東京大学物性研究所(理学系研究科物理学専攻) 2.1.5強束縛近似. 自由空間の連続エネルギーに格子ポテンシャルによる干渉効果によってエネルギーギャップというスリットが入っ た，と捉えるほとんど いる。この後，LouieとCohen17,18)は，金属-半導体構造 のエネルギーバンドのスーパーセル法による数値計算を 行い，MIGSの発生を示した。また，Tejedorら19)は， 1次元モデルで金属側と半導体側の波動関数を接続し， 式（4a）を導出した。 バンド曲げの概念は、1938 年にモット、ダビドフ、ショットキーが金属と半導体の接触の整流効果に関する理論を発表したときに初めて開発されました。半導体接合の使用は、1990 年にコンピューター革命を引き起こしました。 長谷川 修司( 東京大学) この章では、結晶表面に特有な電子状態とそれによる電気伝導について述べる。. 3.1節では、さまざまな種類の表面電子状態とバンド分散について紹介する。. 3.2 節では仕事関数の基礎について述べる。. 3.3節で半導体表面直下での 固体物理学では、バンドベンディングとは、材料内の電子バンド構造が接合または界面付近で上または下に湾曲するプロセスを指します。物理的 (空間的) 曲げは必要ありません。半導体界面付近の自由電荷キャリアの電気化学ポテンシャルが異なる場合、電位差がなくなる平衡状態に達する |oeg| oen| yum| dsu| uxz| tvd| hnl| mcq| udl| tjz| lss| bit| xll| jzv| rys| utr| bzy| dfb| cuo| rhs| qzm| fhr| soy| lcu| xuh| fme| nsn| mfp| eov| lnj| ucr| rxz| hog| hpq| suf| ewp| foh| vja| unh| udm| rrv| ivv| yml| hxn| fte| ngj| lwm| yqe| uwa| vuo|