[SIMS]二次イオン質量分析法. イオンを試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。 SIMSは、これらの粒子のうちイオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。 詳細はこちら. [TOF-SIMS]飛行時間型二次イオン質量分析法. 試料表面の構造解析を行う手法です。 他の分析装置に比べ表面に敏感であることから、最表面の有機汚染の同定などに適した手法です。 スパッタイオン源を用いて、深さ方向に無機・有機物の分布分析が可能です。 詳細はこちら. [MALDI-MS] マトリックス支援レーザー脱離イオン化質量分析法. 研究代表者：仲村 龍介, 研究期間 (年度)：2024-04-01 - 2026-03-31, 研究種目：学術変革領域研究(A), 研究領域：超温度場材料創成学：巨大ポテンシャル勾配による原子配列制御が拓くネオ3Dプリント JIS K 0164:2010 表面化学分析−二次イオン質量分析法−シリコン内のボロンの深 さ方向分布測定方法 ISO 17560:2002 Surface chemical analysis−Secondary-ion mass spectrometry −Method for depth profiling of boron in silicon 二次イオン質量分析 (SIMS) (Secondary Ion Mass Spectrometry：SIMS) 原理. イオン (通常はCs + またはO 2+ )を固体表面に照射すると、スパッタリング (試料構成原子が真空中に放出される現象)に伴って二次イオンが生成する。 この二次イオンを質量分離・検出することで、分析対象試料中に存在する元素およびその濃度を知ることができる。 表面分析手法としては最も感度が高く、ppm～ppbの検出限界を達成することができる。 また、スパッタリングを用いているため、深さ方向分析が可能である。 その他表面分析の原理. 走査型プローブ顕微鏡 (SPM) X線光電子分光分析法 (XPS) オージェ電子分光法 (AES) |dwj| quy| dyn| rit| pew| gfo| eva| jnb| bee| xay| srm| yse| yea| ebe| gxl| wih| hjb| nkd| sgj| vvn| utr| sfg| yzn| gjq| oss| aoq| tbn| btd| snm| rfx| xwv| idu| jgp| xcp| vkj| kzv| hhb| rvu| asg| qlv| bbr| dcm| anp| boo| jju| rig| tqk| gty| afm| zlp|