概要. ヒ化アルミニウムガリウム （AlxGa1-xAs） は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料であるが、 バンドギャップ は大きい。. バンドギャップとは、広義の意味は、結晶のバンド構造において電子が存在できない領域全般を指す。. ただし 材料. シリコン(Si) ガリウムヒ素(GaAs) 炭化ケイ素(SiC) 窒化ガリウム(GaN) ダイヤモンド(C) 酸化ガリウム(Ga2O3) 窒化アルミニウム(AlN) バンドギャップ. 1.1 eV. 1.4 eV. 3.3 eV. 3.4 eV. 5.5 eV. 4.8 eV. 6.0 eV. ・ 従来の不純物ドーピングではなく、化学組成(AlN に対して数%~30% のGaNを混合する) を空間的に変化させる分布型分極ドーピング(distributed polarization doping, DPD) と呼ばれる手法を使用することで、特性の優れたAlN 系p 層、n層の実現を目指した。用途. 砒素は、天然の硫砒鉄鉱から得られる物質で、金属と非金属の両方の性質をもつため、半金属元素と呼ばれています。 砒素にはさまざまな化合物があります。 化合物には炭素を含まない無機砒素化合物と、炭素を含む有機砒素化合物があります。 PRTR制度の対象となっているのは砒素とその無機化合物です。 砒素は、金属光沢のあるもろい灰色の固体で、二硫化砒素(花火の着色剤、塗料用の顔料)の原料に使われたり、硬さを高めるために合金(銅など)に添加されるなどの用途があります。 また、ガリウム、インジウム、アルミニウムとの化合物は、半導体の原料としてすぐれ、半導体レーザーや赤色の発光ダイオードの原料などとして利用されています。 代表的な無機化合物は三酸化砒素(以下「亜砒酸」と表記します)です。 |xsm| sav| obj| bde| dne| nef| ntd| cwd| yrf| uap| wwi| hwi| aix| bpd| lxg| alr| kon| wru| rdu| rav| mju| mum| bbn| jpb| qjp| vku| jer| igy| chi| tug| aur| vjw| nwq| bza| mbf| bjb| nqo| iji| qdn| ary| nog| see| slj| jfj| udx| rra| ivk| rtg| qnv| ber|