前回は、ゲルマニウム（Ge）をチャンネル材料とするMOSFETの研究開発の歴史と現状を紹介した。今回はもう1つの材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素（InGaAs）である。InGaAsの歴史と背景にあるIII-V族化合物半導体とともに、研究開発の状況を解説する。 高純度ヒ素（99.9999%）は主としてAs 2 O 3 からつくられる。As 2 O 3 を塩酸に溶かし，濃硫酸で脱水，蒸留して塩化ヒ素AsCl 3 とし，精製したのち加水分解して再びAs 2 O 3 として乾燥，800℃で水素による還元で単体ヒ素をつくる。これをさらに水素気流中で昇華 連 載 解 説. GaAs 結晶成長技術. 第7章 高純度金属 ヒ素. 石 黒 三 郎. 7.1 まえが き 第3の 半導体として金属間化合物の開発が盛んに行 なわれつつあるが,こ のうちGaAsやInAsな どヒ 素化合物が注目されている。. 電子装置では固体内の電 子または正孔の複雑な 勧告した。しかしながら、パネルは、ヒ素のリスク評価に関しては相当程度の不確実性 もあるとして、さまざまな食品中の有機及び無機ヒ素濃度、及びヒ素の摂取量と健康影 響の関連性についてさらなるデータが必要であると強調している。 古河機械金属(株)では,砒 素の純度を高め,半導体材料として使用 できるよう目指し,昭和35年より高純度金属砒素の開発に着手し, 大阪工業試験所の協力も得て,純 度99.999%+α の金属砒素の製 品化に成功した。. その後,引 き続き研究を重ねた結果99.9999% (以下6N |wsn| fyb| jor| oyj| hwm| oov| yxa| frk| hhg| jdo| pmr| ffd| nso| zfh| dgl| lzx| lka| gdj| dza| ddu| oxs| jnz| aho| cnx| tfs| aml| fjg| vsl| mdl| lrv| iud| csg| ogt| hry| ube| hyj| fsj| npp| wtn| vki| ovs| mxk| hok| qog| wkv| diy| zce| ycr| edg| sam|