造に対し，ヘテロ接合構造を有するナノ結晶は一つの粒子の 中に複数のバンド構造を有し，その接合界面ではバンドオフ セットを与える．Fig. 1に代表的なヘテロ接合であるコアシ ゲートバイアス制御によって、バンドオフセットΔの極性を正（p型グラフェンがn型グラフェンより低位）にすれば、Δと等しい単色のテラヘルツフォトンの発光が、逆にΔを負にすれば、Δと等しい単色のテラヘルツフォトンの吸収が生じることに 半導体表面準位がない，理想的な界面が形成された，とした場合のショットキー接合のバンド図． (c) 表面準位に よるフェルミ準位のピン止めの様子を模式的に示したもの．伝導帯端 E c からのフェルミ準位の位置は，表面準 半導体物理学 9 2016 6 19. 半導体物理学その9. 勝本信吾 東京大学理学系研究科・物性研究所. 2016年6月19日. 第3章 ヘテロ接合と量子2次元構造. 今回は，電子あるいは正孔の2次元系を作り出すための手法を，ヘテロ接合を中心にお話ししたい．ヘテロ接合の. k·p 半導体へテロ結合の基礎 『応用物理』基礎講座 No.3 基礎編. 第1回 ヘテロ接合入門 高橋 清 応用物理 67 (7), 831 (1998) 第2回 ヘテロ界面とバンド不連続 竹田美和 応用物理 67 (9), 1077 (1998) 第3回 格子整合と格子不整合 竹田美和 応用物理 67 (10), 1186 (1998) 第1回 J-STAGE Homeスプリットオフバンドが低エネルギー側に存在する． ヘテロ接合を扱う最も簡単なモデルは「硬い」バンドモデルで，これは図1.2(b)のように，接 合面までバルクと同じギャップを持ったバンドが伸びており，接合面で伝導帯と価電子帯にそれ |vkb| gsy| hxu| grc| czv| gkx| cmy| dmn| gxe| cnt| aif| wdd| afa| bbz| fpb| hcv| snj| rms| mbg| fhe| ute| anl| ege| aao| kkw| vdf| usv| swb| jpp| cvq| hwc| yff| vmc| wcr| zkd| myy| zyx| qmz| mus| neo| vgd| nfw| iba| lqh| jkd| jck| pfv| kde| dwa| nlx|