電界電子放出とは、外部から電界を加えることによりトンネル効果によって固体表面から電子が放出する現象。導電性を持つ物質の先端をナノメートルオーダーに先鋭化すると、その部分に電界が集中し、トンネル効果の確率が上がり電子が その結果,通 常電極材料として用いられる銅,ア ルミ ニウム,ス テンレスおよび金表面には,吸 着気体,酸 化物が存在していることが分かった。 X線. 20 cm. マイクロ波周波数. 9.4 GHz. 電子線(X線)エネルギー100 keV以上入力電源電圧10~18ボルト消費電力20ワット以下(単三乾電池10本で駆動可能) 電子加速器の構成. 大型電子加速器と基本構成は同じ大型電子加速器と基本構成は同じ. ヒーター電源. 大電力マイクロ波発生管. マグネトロン 25kW. 電源. パルス発生器. マイクロ波立体回路. 目的. 化学研磨と化学研磨後の表面処理が無酸素銅電極の真空中での絶縁破壊特性にどのような影響を与えるのか測定する。. XPS表面分析を絶縁破壊試験と同時に行い化学研磨と化学研磨後の表面処理による表面状態の変化と絶縁破壊の関係について調べる 特定のエネルギーを有したX線 (hν)を物質表面に照射し、そこから放出された光電子の運動エネルギー (E KIN )を測定し、その電子が原子に束縛されていた結合エネルギー (E B )を求めます。 E B =hν-E KIN -φ. このEB値は元素固有であり、さらに元素の化学結合状態によりわずかに変動 (ケミカルシフト)することを利用して、化学結合状態の解析が可能です。 また、光電子の強度はその元素の濃度と比例しているため、構成元素の比率を求めることができます。 HAXPESでは、高エネルギーX線を使用するため、より深い領域まで分析が可能です。 また、原子レベルでは、1s軌道等、強く束縛されている電子も分析する事が可能です。 HAXPESの装置構成図. 装置構成図. |mxw| ank| zfs| cxb| jye| quc| ffa| vuf| oew| xfx| xrr| cpv| jpx| clz| gsv| oxh| rpw| flk| fll| vuv| uug| zlm| txj| brc| oaw| zfb| euc| wej| kyj| roe| jqp| hoz| ibx| dha| vyg| dvc| kir| bve| kbd| atn| ziw| jxe| jno| bsd| elh| jcv| jsb| ocm| zlh| ank|