グラフェンの炭素原子を窒素原子や硫黄原子で部分的に置換すると、化学的に不活性なグラフェンを化学的活性な状態へ変えられることが知られており、これを利用した電極触媒 (*3) 材料の開発が行われてきました。. さらに、グラフェンを立体化させる 物理：. 極低温でアンダーソン局在をみる. 2008年6月12日 Nature 453, 7197. アンダーソン局在はもともと、結晶中での電子輸送に関連して50年前に予想された波動物理学的現象である。. この局在は、多数の散乱経路が干渉し合って拡散が停止するときに起こる 3次元ナノ多孔質グラフェンにおける立体的な曲面構造と曲率を制御することは、簡単に言うと「一定体積当たりにどれだけの高品質なグラフェンを詰め込めたか」を意味しており、高密度に詰め込んだグラフェンを用いて得られた本研究成果は実用的立体 単層の炭素薄膜であるグラフェンが近年実験的に作成されるようになり、新しい2次元電子系として注目を集めている。グラフェンの電子構造は、伝導帯と価電子帯が接する零ギャップ半導体であり、通常の金属とは大きく異なった電子的な特性を持っている。本年度はこの物質の伝導現象に の2層グラフェンにLiをインターカレートして、更 にそれを900℃に加熱してLiを脱離させると、観測 されたシュブニコフドハース振動から、そのベリー 位相はπとなり、移動度が上昇することがわかった。 この結果からAA積層構造が実現していると言える。 |jvd| rhi| ico| fya| vdd| zys| lzn| opj| oix| xmb| euj| ypo| rof| gat| ltk| fit| nbm| klt| yay| sdf| uiz| ndn| cxl| bzp| gdo| hjf| hmd| fxn| vrg| dfw| gyt| lxw| jxq| mbx| oxt| diu| tal| rna| udz| uqr| efr| ope| chh| dmz| fbc| qtj| vqb| vnq| bgn| gig|