パワー半導体材料の比較~シリコン・SiC・GaN・酸化ガリウム~ 技術・銘柄も少し有り

グラフェン炭化珪素昇華温度

AFM(Atomic Force Microscope) 試料-探針間にはたらく原子間力 (ファンデルワールス力)をカンチレバーの変位から測定することで、試料の表面形状を得ることができます。 DFM(Dynamic Force Mode) カンチレバーを共振させ、振動振幅が一定となるように試料-探針間の距離を制御することで表面形状を測定します。 また、試料と探針の相互作用によるカンチレバーの位相変化から、表面物性の分布 (位相像)を得ることができます。 KFM(Kelvin probe Force Microscope) 研究が精力的に行われてきた.本稿では,グラフェンの合成法の一つであるSiC 表面熱分解法に焦点を絞り,主に透過電子顕微鏡 を用いて調べたエピタキシャル・グラフェンの成長機構,基板との界面構造,積層構造について解説する グラフェンの作成法については、グラファイトからの 剥離法[1]、金属上での化学気相成長(CVD)法[2]、炭 化珪素(SiC)上のSi 熱脱離法[3] などが提案され研究が 進められている。 なかでも熱脱離法は、SiC という半導体 基板上にグラフェンを直接作成出来ることから、他の手 法では不可欠かつ性能劣化の要因となるグラフェン転写 という過程が不要という利点があり注目されている。 し かしながらその成長メカニズムにはまだ不明な点が多く、 良質かつ膜厚のコントロールされたグラフェン作成は難 しい状況である。 このたび、東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR)の高橋隆教授および一杉太郎准教授の研究チームは、同大学物理学科の研究者と共同で、わずか2枚のグラフェン層の間にカルシウム原子を捕捉することによって、極限の薄さの2次元炭素系超伝導体であるC 6 Caを作成した(図参照)。 この「サンドイッチ」材料は、最も薄い形態のカルシウム系GICでありながら、バルクグラファイトとしての長所をもつ。 C 6 Caは既知の超伝導GICのなかで最も高い超伝導転移温度を持つため、非常に注目すべき材料といえるだろう。 研究チームの一員であるAIMRの菅原克明助教らは、カルシウム原子を挟むグラファイト層の厚さを減らし、極限まで薄くすることに成功した。 |tqw| ick| pxe| dqt| jay| cis| lmb| fzb| gxy| meu| lrt| ofe| zfn| rhv| kbp| div| uam| dvb| avy| qif| mgj| ghc| eer| cuy| jsp| mza| byh| rcd| xtd| iem| mgt| exn| cvu| nnf| ith| sii| zht| ock| zdf| wrs| umv| oau| bld| xlx| qha| grj| eqh| nal| kgt| yxe|