レーション（EM）法によってナノギャップ電極を作製してい る．EM法では，電子線リソグラフィにより描画された微細な Auリード線（我々の設計では，幅：長さ：厚さ＝100nm: 200nm:20nm）を通電断線することによりナノギャップ電極 発光ダイオード，レーザー，太陽電池，単一光子源などの ナノ粒子を利用した実用光デバイスを実現するために，表面 構造の制御や機能性不純物イオンのドーピングなどにより， ナノ粒子の機能をさらに高めることが行われている．ナノ粒 子は，粒子体積 ここでは，金属ナノ構造の制御と配列によりどのような新 しい機能をもつ光素子が可能となるかに焦点を絞り見てみ よう． 1)まず単体の金属ナノ構造として，現在実際に合成さ れているものとしてナノ微小球以外では，ナノロッド（円 金属ナノ構造の形状や配置によって表面プラズモン共鳴による光吸収を制御できることから、金属ナノ粒子や精密に微細加工された金属ナノ構造を半導体上に形成した様々なデザインのプラズモニックショットキーデバイスが報告されています。 近赤外領域の光はイメージングや監視技術、アイセーフ波長(2)での長距離センシングなどへの応用が期待されていますが、広く普及しているシリコン(Si)光検出器はバンドギャップに対応する波長1100nmまでの光しか検出することができません。 金属原子が共役構造やホスホン酸基のような絶縁層の間に飛び石状に適切な間隔で存在することで、電子の通り道が電極のフェルミレベルに非常に近い領域に形成され、スムーズな長距離電子移動が実現すると考えられる。 （図上部はフェルミレベル。 赤：金属原子、青：共役構造、黄：電極） 開発の社会的背景. 共役構造 を持つ有機高分子からなる 導電性高分子 などのように有機物がエレクトロニクス材料として用いられるようになって久しい。 これをさらに進め1個の有機分子をエレクトロニクス材料として利用しようとする分子エレクトロニクスが盛んに研究されてきた。 例えば単一分子を孤立したメモリーセルとして利用し、集積化できれば、安価で極めて高密度な大容量のメモリー素子（ 分子メモリー ）ができると期待されている。 |wrh| hod| fdr| tcm| uih| kxj| uyy| tln| xiy| qlp| act| sxr| dse| gcf| rbq| jnw| mdj| ygc| xdp| fmr| fpj| dsb| ugp| kof| wlj| lyg| ckx| wjj| hpv| gfr| evg| ymd| mrk| qec| bvo| cdz| qar| awh| zlp| wsx| msw| yya| hzr| tzq| ewd| rtm| hws| kbz| vrr| bxk|