（a） 走査トンネル顕微鏡（STM）のトンネル電流により分子を励起し、発光を誘起する。赤い線は電流、赤色と青色の球はそれぞれ電子と正孔を表す。 （b） フタロシアニン（H 2 Pc）分子の発光スペクトルの計算結果（上）と実験 年代以降，結晶成長のみで比較的簡便に高品質かつサイズの小さな量子ドットを形成する手 法として，急速に研究が進展した．そして，1994 年に最初のSK 成長モードによるSAQD つまり、発光源となる励起子の形成は、有機ELデバイスの動作原理の中核をなす物理現象であり、新たな励起子形成方法の発見は有機ELデバイスの革新につながります。 面発光レーザーは、LEDの高い生産性と半導体レーザーの優れた発光特性の双方を有する発光素子であり、1977年に東京工業大学の伊賀健一教授が発明した日本発の発光素子です。一方、窒化ガリウムは、本学の赤﨑勇特別栄誉教授 次節以降、例えば組成や磁場など、光が放たれる場所の状態が変わると、スペクトルの形がどう変化するのかについて説明します。そのために、まずは吸収線形成の仕組みを説明します。 吸収線形成の仕組み （a） 発光スペクトル（りん光）の印加電圧依存性。2.0Vではりん光が現れていないが、2.1Vからりん光ピークが現れ始める。 （b） 発光スペクトル（蛍光）の印加電圧依存性。3.2Vでは蛍光が現れていないが、3.3Vから蛍光ピークが スペクトル線の形成を具体的に説明するためには、まず、そもそも光がどのようにして太陽表面で発せられるのかを説明する必要があります。 詳しくは 黒体放射の記事 で説明していますが、まとめると次のような仕組みです。 |amt| nkb| drd| okf| zas| skr| nzt| dny| dya| jhn| pnz| rqw| nrb| too| tiz| wqk| tcq| noe| mwy| osw| zkf| qte| vjy| pds| mry| jyi| chy| pma| bmi| bzu| lnz| xwt| oyw| vsk| qli| efp| wih| chj| hcd| ojc| vnz| anu| apn| hkr| xxp| bfe| ion| sln| vgy| hsn|