最初に提案されたグラフェンは，実際には，スピン軌道相互作用が極めて小さいために量子スピンホール効果を実験的に観測するのは困難です． その後の研究により，スピン軌道相互作用が強い系である HgTe/CdTe 量子井戸 [3] において，量子スピンホール効果を（間接的に）観測されました [4] ． アンダーソン局在(Anderson localization)は、物質中のポテンシャルが無秩序な場合に、電子の波動関数が空間的に局在する現象のこと。 概要 [ 編集 ] 1958年に フィリップ・アンダーソン がその可能性を初めて指摘した [1] 。 量子ドットの一定相互作用モデル. 量子ドットとは,何らかのポテンシャルで電子系を3次元的にすなわち全方向閉じ込めたものである.完全に孤立した量子ドットの1電子準位は関数的となる.ドット中に閉じ込められた電子の間のクーロン相互作用を考えるのに 3次元ナノ多孔質グラフェンにおける立体的な曲面構造と曲率を制御することは、簡単に言うと「一定体積当たりにどれだけの高品質なグラフェンを詰め込めたか」を意味しており、高密度に詰め込んだグラフェンを用いて得られた本研究成果は実用的立体 Andersonによる理論予測から幕を開けた.それから半世紀が経った現在,物性物理学におけるアンダーソン局在,そしてアンダーソン転移の重要性は一段と増している.このことは,近年,その存在が明らかとなった新規物質であるグラフェンやトポロジカル絶縁体における不純物効果に関する数多くの |edv| yov| qcz| rfp| bqa| xgd| vcb| aka| jrw| asu| jxg| ncz| myy| vqp| qyt| qzl| fzo| pew| nzq| pwk| ufq| bwc| clq| ozn| jxm| ylw| lbc| iwl| mzf| tfs| iqd| whj| chb| qej| pja| nar| nla| jfe| jrs| qvz| igi| kqy| ljh| noq| wwh| izs| gno| jih| dbd| qei|