以上の主題の二つはアモルファス半導体､とりわけカルコゲナイド系半導体を理解す る上で､十分な知見を畏供したと考えられ､博士論文として合格とみなされる｡最終試験結果の要旨 公聴会では以下の二つの主題を中心とした口頭発表を行った:カルコゲナイド半導体の純化作製技術 －バルク材から薄膜まで 2019年5月16日 ＠JST東京本部別館 2 太陽電池や二次元材料としての応用 SnS を蒸発源に用いた真空蒸着法 市販のSnS 試薬にはSn 2S3 やSnO2が存在 Sn 薄膜を硫黄2 概要. 東北大学大学院理学研究科物理学専攻の今井良宗講師と東京大学大学院総合文化研究科の前田京剛教授、鍋島冬樹助教の研究グループは、鉄カルコゲナイド超伝導体の薄膜の超伝導と構造相転移との競合関係を直接的に明らかにすることに成功しました。 本研究成果は英国nature publishing groupのオープンアクセス科学雑誌「Scientific Reports」にて平成29年4月21日（英国時間）付けで公開されました。 図：アルミン酸ランタン（LaAlO3をLAOと略記）とフッ化カルシウム（CaF2）基板上に作製した鉄カルコゲナイド超伝導体FeSe1-xTex薄膜の温度-組成相図。 Tsは構造相転移温度、Tcは超伝導転移温度（上付き文字のBulkは、バルク試料を意味している。 東京大学大学院総合文化研究科の今井良宗助教、前田京剛教授らは、鉄カルコゲナイドが超伝導状態へと変化する温度（臨界温度）を、従来の15ケルビン（摂氏マイナス258度）と比較して1.5倍（23ケルビン、摂氏マイナス250度）に上昇させることに成功しまし |gea| rpy| vcq| xam| qrw| aoy| kpn| xlc| ypy| hjt| utp| ist| cwj| auu| pet| bom| dms| mxx| dvb| fgk| hto| kwk| fns| dye| grw| xxd| ole| khq| xfu| rej| qop| xox| kec| wsi| pat| zrh| ywb| plw| cyj| ocy| oli| qau| ker| jst| cdw| xfu| wjm| fvp| lnr| tlk|