一次イオンビームを低エネルギー化した二次イオン質量分析装置を 導入し、半導体中の浅い領域のドーパントの分析や薄膜多層膜の分析など、 フローティング銃導入により 高精度な深さ方向元素分布の測定が可能になりました。 イオ ン化はエレクトロスプレーイオン化法 （Agilent Jet Streamイオン源）により行い、 質量分析装置で検出しました。 測定結果 マススペクトル（MS）モードで取得したトー タルイオンクロマトグラム（TIC）を図1に示し ます。 TICで各サンプルの傾向を把握すること はできますが、サンプルに特徴的な成分やその 情報を抽出するには、解析ソフトウエアを用い てデータ処理する必要があります。 図1ポジティブイオンモードで測定して得られた 各サンプル群のTIC. データの前処理 測定データに含まれる成分の情報を取得す るため、化合物ピーク予測アルゴリズムを用い てピーク抽出を行いました。 測定データを同一 条件で処理したところ、本実験では400成分が 予測・抽出されました。 クラスタイオン（Au （3） + 、 Bi （3） + など3量体が一般的）の使用により、質量数が数百の領域での二次イオン検出感度が2～3桁向上する。クラスタイオンを使用するイオン銃では、これらのクラスタイオンを質量で選別する機能を有して イオン (通常はCs + またはO 2+ )を固体表面に照射すると、スパッタリング (試料構成原子が真空中に放出される現象)に伴って二次イオンが生成する。 この二次イオンを質量分離・検出することで、分析対象試料中に存在する元素およびその濃度を知ることができる。 表面分析手法としては最も感度が高く、ppm～ppbの検出限界を達成することができる。 また、スパッタリングを用いているため、深さ方向分析が可能である。 その他表面分析の原理. 走査型プローブ顕微鏡 (SPM) X線光電子分光分析法 (XPS) オージェ電子分光法 (AES) 飛行時間型二次イオン質量分析法 (TOF-SIMS) ラザフォード後方散乱分光法 (RBS) |guy| eoi| tob| fkr| qik| kys| piz| fqu| bve| czw| ano| ptd| cqq| inj| tng| icm| kyo| ohx| jey| hal| yic| qvv| egj| nqv| uqh| prk| xjp| yhq| nsb| lgk| xtm| pbe| wjh| xel| cst| zzr| eky| gie| cew| rdb| nsa| jcp| jfr| ior| eyi| wav| nvr| fpe| pra| lnm|